Den Zilwäert vun der relativer Loftfiichtegkeet an engem Halbleiter-(FAB)-Propperraum

De Zilwäert vun der relativer Fiichtegkeet an engem Halbleiter-Propperraum (FAB) ass ongeféier 30 bis 50%, wat eng kleng Feelermarge vun ±1% erlaabt, wéi zum Beispill an der Lithographiezon – oder nach manner an der wäiter ultraviolett Veraarbechtungszon (DUV) – während se soss anzwousch op ±5% relaxéiert ka ginn.
Well d'relativ Loftfiichtegkeet eng Rei vu Faktoren huet, déi d'Gesamtleistung vu proppere Raim reduzéiere kënnen, dorënner:
1. Bakterienwuesstum;
2. Komfortberäich vun der Raumtemperatur fir d'Mataarbechter;
3. Elektrostatesch Ladung erschéngt;
4. Metallkorrosioun;
5. Waasserdampkondensatioun;
6. Degradatioun vun der Lithographie;
7. Waasserabsorptioun.

Bakterien an aner biologesch Kontaminanten (Schimmelpilze, Viren, Pilze, Milben) kënnen an Ëmfeld mat enger relativer Loftfiichtegkeet vu méi wéi 60% gedeien. Verschidde Bakteriengemeinschafte kënne bei enger relativer Loftfiichtegkeet vu méi wéi 30% wuessen. D'Firma mengt, datt d'Loftfiichtegkeet am Beräich vun 40% bis 60% kontrolléiert soll ginn, wat den Impakt vu Bakterien an Atmungsinfektiounen miniméiere kann.

Eng relativ Loftfiichtegkeet tëscht 40% an 60% ass och e mëttelméissege Beräich fir de mënschleche Komfort. Ze vill Loftfiichtegkeet kann d'Leit e verstoppte Gefill ginn, während eng Loftfiichtegkeet ënner 30% d'Leit e Gefill vu trockener, spruckender Haut, Atmungsbeschwerden an emotionalem Ongléck verursaache kann.

Déi héich Loftfiichtegkeet reduzéiert tatsächlech d'Akkumulatioun vun elektrostatesche Ladungen op der Uewerfläch vum Cleanroom – e gewënschte Resultat. Eng niddreg Loftfiichtegkeet ass ideal fir d'Akkumulatioun vun Ladungen an eng potenziell schiedlech Quell vun elektrostatescher Entladung. Wann déi relativ Loftfiichtegkeet iwwer 50% geet, fänken déi elektrostatesch Ladungen un, sech séier ze verschwannen, awer wann déi relativ Loftfiichtegkeet manner wéi 30% ass, kënne se laang Zäit op engem Isolator oder enger net geerdeter Uewerfläch bestoe bleiwen.

Eng relativ Loftfiichtegkeet tëscht 35% an 40% kann als zefriddestellende Kompromëss benotzt ginn, an Halbleiter-Propperraim benotzen am Allgemengen zousätzlech Kontrollen fir d'Akkumulatioun vun elektrostatischen Ladungen ze limitéieren.

D'Geschwindegkeet vu ville chemesche Reaktiounen, dorënner Korrosiounsprozesser, wäert mat der Erhéijung vun der relativer Loftfiichtegkeet zouhuelen. All Flächen, déi der Loft ronderëm de proppere Raum ausgesat sinn, si séier.